专利类型：发明授权
申请(专利)号：CN201810520519.0
本发明公开了一种基于双异复合结构层的宽带可调谐太赫兹吸收体。所述的太赫兹吸收体单元横截面为正方形,自下而上依次由基底层,金属薄膜层,介质层I,复合结构层I,介质层II和复合结构层II组成。所述的复合结构层I是由嵌入4个不同尺寸方形金属薄膜结构的介质层组成,复合结构层II是由4个不同尺寸的圆环相变介质结构组成。本发明利用多个谐振结构的横向和纵向叠加,实现了太赫兹吸收体的宽带吸收,通过温度、光照等外部激励改变复合结构层II中相变材料电导率,完成对吸收带宽的调制,进而实现太赫兹吸收体的可调谐特性。